SJ 50033.86-1995 半导体分立器件.CS5114～CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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ID： |
9326B52F33CF48E8986401A0777CD319 |
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0.45 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/86-1995,半导体分立器件,CS5114 .CS5116 型,硅P沟道耗尽型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS5114~CS5116,silicon P-channel deplition mode field-effect transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS5114.CS5116型,硅P沟道耗尽型场效应晶体管 出5州33/86T995,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS5114 .CS5116,silicon P-channel deplition mode field-effect transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 CS5114.CS5116型硅P沟道耗尽型结型场效应晶体管（以下简称器件）的,详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制ヽ生产和菜购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范）L3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-86场效应晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 实施,SJ 50033/86-1995,3,2 -!引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端裏面镰层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要,求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅P沟道耗尽型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 758I的A3 - O1B型及如下规定,见图1,帕濡A3-01B,最小标称最大,A 4,32 一5,33,転— 2.54 —,妬］ 一— LO1,黜2 0.407 一0.508,虹! 531 一5.84,か1 4.53 — 4.95,J 。丒92 1.04 1.16,K 0.51 — L21,L 12.5 — 25.0,L1 一— 1.27,引出端极性:,1.源极2.栅极3.糖极,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,PS,77 = 25 じ,(mW),VVgsむ,(V),V虎,(V),VVDG露,(V),ね,(mA),%和ス,（じ）,500 30 30 30 50 -65-+200,2,SJ 50033/86-1995,注:じ时,按的速率线性降频,2）几何图形对称,允许源与漏引线互相对换工作,3.3.2 主要电特性（Ta=25匕）,套 」教,型 号,极 限 值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,心"（mA）,Vos= -18V, Vgs=0 CS5114 -30,-90 i,-15V, Vcs = 0 CS5115 T5 -60,Vns= -15V, ￥055 = 0 CS5116 -5 -25,VDS（on） （V）,Id= - 15mA, Vcs=0 CS5H4 一L 3,Id= -7mA, Vcs = 0 CS5115 一-0.8,1产ー3mA, VGS-0 CS5116 一-0.6,Vcs 同（V）,-15 V,ZD- -InA,CS5114 5 10,CS5115 3 6,CS5116 1 4,3的）⑻,Vgs",廿〇,片 1kHz,CS5114 一75,CS5115 — 100,CS5116 175,注:1）脉冲法（见4、5、1）,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志.,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证規定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1,极限值的器件应予剔除,3,SJ 50033/86-1995,?选,(GJB33 表 2),测 试 或 试 验,5'密封不要求,6、高温反偏不要求,7、中间參数测试ね鑽1、,035X16画1 和 rcbton),8、功率老化Ta= 150V, Vos = 0V, Vgs = 24V,9、最后测试,本规范表1的A2分纲;,AIgss= ±0.1必或初始值的士1。。％,取较大者1,1小创1和厶301t尸土 2。％ ;ム［网=i 15 % a,4.4 质量一致性检験,质量一致性检験应按GJB 33的规定进行,4,4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规,范表4的步骤进行,4.4.3 C组检验,C组检舱应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化……
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